Nuvoton NuMicro M2L31: uusi kortti ReRAM-tyyppisellä muistilla

El Nuvoton NuMicro M2L31 on mikro-ohjainperhe Tehokas Arm Cortex-M23 -ydin ja ainutlaatuinen muistitoiminto. Se on yksi ensimmäisistä käyttäjistä ReRAMia, nopeaa ja kestävää muistia. Nämä mikro-ohjaimet on suunniteltu alhaiseen virrankulutukseen ja monenlaisiin sovelluksiin teollisuusautomaatiosta moottorin ohjaukseen.

Lisäksi se ReRAM tekee niistä todella mielenkiintoisia ja erikoisia verrattuna muihin vastaaviin tuotteisiin. Kokoonsa nähden erittäin täydellinen levy, joka sopii teollisiin sovelluksiin ja muihin projekteihin sen runsauden ja monipuolisuuden vuoksi. Haluatko tietää miksi?

Nuvoton NuMicro M2L31:n tekniset tiedot

Suhteen Tämän NuvoTon-moduulin tekniset tiedot, totuus on, että voit löytää erilaisia ​​muunnelmia, erikokoisilla ReRAM-muistilla ja kaikkea saatavilla samasta NuvoTonin virallinen verkkosivusto hintaan alkaen 36 dollaria:

• Mikrokontrolleri
  • Varsi Cortex-M23 yksiytimisellä @ 72 Mhz
• muisti
  • 40 kt - 512 kt upotettua ReRAM-muistia
  • Jopa 168 kt SRAM ja 40 kt pariteetin tarkistusta varten
  • Itsenäinen 4/8 kt pienitehoinen SRAM
  • 8KB LDROM
  • 4x eXecute-Only-Memory (XOM) -aluetta
  • 4x Memory Protection Unit (MPU) -aluetta
• Oheislaitteet
  • USB-portit
    • USB 2.0 OTG/isäntä/laite 1024 tavun puskurilla
    • Yhteensopiva USB-C:n (Rev.2.1) kanssa ja lataukseen
  • Jopa 8x UART-liitännät LIN:n ja IrDA:n kanssa
  • 1x pienitehoinen UART-liitäntä
  • Jopa 2x USCI (UART / SPI / I²C)
  • Jopa 4x I2C + 1x pienitehoinen I2C (400 kbps)
  • Jopa 4x SPI/I2S (max. 36 MHz) + 1x Low Power SPI (max. 12 MHz)
  • 1x Quad Serial Peripheral Interface (QSPI)
  • Jopa 1x ulkoinen väyläliitäntä (EBI)
  • Jopa 2x CAN FD -ohjainta
  • Jopa 16x kosketusnäppäimiä yhdellä skannauksella tai ohjelmoitavalla jaksolla, 5V
• analoginen
  • Integroitu referenssijännitteen ohjaus
  • Integroitu lämpötila-anturi
  • 1x 12-bittinen SAR ADC jopa 24 kanavaa 3.42 MSPS
  • Jopa 2x DAC (12-bittinen, 1 MSPS puskuroitu)
  • 3x 6-bittinen DAC kisko-kisko-vertailija
  • Jopa 3x operaatiovahvistin
• Ohjausliittymä
  • Voltage Adjustable Interface (VAI)
  • Jopa 2x Enhanced Quadrature Encoder Interfaces (EQEI)
  • Jopa 2x sisääntulon Enhanced Input Capture -ajastimet (ECAP)
• PDMA
  • Jopa 16 kanavaa DMA-oheislaitteille
• Suojausominaisuudet
  • Syklisen redundanssin laskentayksikkö
  • 128/192/256-bittinen AES-salaus
  • Tosi satunnaislukugeneraattori (TRNG)
  • Pseudosatunnaislukugeneraattori (PRNG)
  • Jopa 3x peukalinastat
• Ajastimet
  • 32x PWM ulostuloa
  • 4x 24-bittiset ajastimet, tuki itsenäiselle PWM-lähdölle
  • 12x Enhanced PWM (EPWM) kahdellatoista 16-bittisellä laskurilla ja jopa 72 MHz kellolähteelle
  • 12x PWM kuudella 16-bittisellä ajastimella, jopa 144 MHz kellolähteelle
  • 2x 24-bittiset alhaisen kulutuksen ajastimet
  • 2x Tikkuajastimet
  • 1x 24-bittinen SysTick-ajastin
  • Vahtikoira
  • Ikkunan vahtikoira
• kellon signaaleja
  • Kristallioskillaattori (Xtal) 4 - 32 MHz
  • 32.768 kHz oskillaattori RTC-kellolle
  • Sisäinen 12 MHz RC-oskillaattori, jonka poikkeama ±2 % lämpötilassa -40 ~ 105 °C
  • Sisäinen 48 MHz RC-oskillaattori, jonka poikkeama ±2.5 % lämpötilassa -40 ~ 105 °C
  • 1-8 MHz sisäinen MIRC ±10 % poikkeamalla -40-105 °C:ssa
  • Sisäinen 32 kHz RC-oskillaattori ±10 % poikkeamalla
  • Sisäinen PLL 144 MHz asti
• Käyttöjännite
  • 1.71 V - 3.6 V
• kulutus
  • Normaali: 60 μA/MHz @ 72 MHz
  • IDLE-tila: 33μA/MHz @ 25°C/3.0V, kaikki oheislaitteet pois päältä
  • NPD ilman tehoporttia (NPD2-tila): 55 uA, @ 25 °C/3.0 V
  • NPD ilman tehoportausta (NPD4-tila): 9 uA, @ 25 °C/3.0 V
  • SPD ja 40 kt:n säilytys SRAM:ssa: 1.7 uA, @ 25 °C/3.0 V
  • DPD: 0.54uA @ 25°C/3.0V, RTC ja LXT pois päältä
• Valittavissa oleva sirupakkaus (jokainen saatavana eri ReRAM-kapasiteetilla):
  • WLCSP 25 (2.5 × 2.5 mm)
  • QFN32 (5x5mm)
  • LQFP48 (7x7mm)
  • QFN 48 (5x5mm)
  • WLCSP 49 (3x3mm)
  • LQFP64 (7x7mm)
  • LQFP128 (14×14mm)
• Tuettu työlämpötila-alue
  • -40°C - +105°C

Mikä on ReRAM? Koska se on mielenkiintoista?

La ReRAM (Resistiivinen Random-Access Memory) on eräänlainen haihtumaton (NV) muisti, joka toimii muuttamalla solid-state-dielektrisen materiaalin vastusta. Tämä tekniikka esitetään vaihtoehtona perinteisille flash-muisteille, kuten NAND Flash ja DRAM, tarjoten useita etuja:

• Nopeus- ReRAM tarjoaa erittäin nopeat luku- ja kirjoitusnopeudet, jopa nopeammat kuin DRAM. Tämä johtuu siitä, että se ei vaadi sivun poistamista ennen kirjoittamista, kuten perinteiset flash-muistit tekevät.
• kestävyys- Sillä on suurempi vastustuskyky kirjoitus- ja poistojaksoille kuin perinteiset flash-muistit. Tämä tarkoittaa, että se kestää enemmän kirjoitusta ennen epäonnistumista, mikä tekee siitä ihanteellisen sovelluksille, jotka vaativat toistuvia tietojen päivityksiä ja luotettavuutta.
• Alhainen virrankulutus- Kuluttaa vähemmän virtaa kuin perinteiset flash-muistit sekä luku- että kirjoitustilassa. Tämä tekee siitä hyvän valinnan akku- tai aurinkoenergiasovelluksiin.

On kuitenkin sanottava, että tämäntyyppinen muisti on melko kallista ja on melko varhaisessa kehitysvaiheessa. Käytetään pääasiassa tämän kaltaisissa MCU-pohjaisissa laitteissa sekä teollisissa tai muissa sovelluksissa. Mutta se ei ole kypsässä vaiheessa käytettävä muisti tietokoneissa...